[发明专利]一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法

摘要

一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)薄膜在硅(Si)中引入应变形成应变硅(Si)，并利用浅槽隔离区(缩写为STI)记忆应变硅(Si)中的应变，然后去掉氮化硅(SiN)薄膜，最后在该应变硅(Si)上外延锗(Ge)组分较高的锗硅(SiGe)层作为沟道，在上制作晶体管。本发明工艺简单，与传统的MOS工艺兼容，成本较低，沟道中Ge组分提高明显，不仅适用于90内米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。

主权项

一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法，其特征在于：在制作PMOS期间的硅(Si)衬底上在外延锗硅(SiGe)之前，先通过氮化硅(SiN)薄膜在Si中引入张应变，形成具有张应力的应变硅，并利用浅槽隔离区(STI)记忆应变硅中少量的张应变，然后去掉SiN薄膜，最后在该应变硅上外延锗(Ge)组分较高的SiGe层作为沟道，在其上制作PMOS器件，制备的步骤如下：步骤一：选用Si衬底，并清洗干净；步骤二：在Si衬底(1)上淀积SiO2层(2)和SiN层(3)，则在Si衬底(1)中引入少量张应力，形成张应变Si层(4)；步骤三：刻蚀出隔离区STI(5)；步骤四：在隔离区STI(5)中填充SiO2；步骤五：去掉SiO2层(2)和SiN层(3)，露出张应变Si层(4)表面；步骤六：在应变Si层(4)上外延高Ge组分形成压应变SiGe层(6)作为PMOS器件的沟道；步骤七：在具有压应变SiGe层(6)沟道上，按已有技术制作PMOS器件。