[发明专利]沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210110576.4 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102723357A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 何志;张峰;樊中朝;赵咏梅;孙国胜;季安;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种沟道型碳化硅肖特基二极管，包括：一外延片，具有上、下表面，该外延片的上面向下开有一沟道，该沟道内的底部注入有P型离子，在该沟道的底部形成P+区；一氧化膜层，制作在外延片沟道的内壁面上，该氧化膜层的厚度为10纳米-10微米；一多晶硅层，制作在氧化膜层上，并充满外延片的沟道内；一肖特基金属电极，制作在外延片上，并覆盖该外延片的沟道；一欧姆接触电极，制作在外延片的下表面。本发明改进了沟道型肖特基器件的结构，使反向承压时最高场强从沟道金属和氧化硅膜界面处转移到碳化硅外延片中，从而避免破坏性击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 碳化硅 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟道型碳化硅肖特基二极管，包括：一外延片，具有上、下表面，该外延片的上面向下开有一沟道，该沟道内的底部注入有P型离子，在该沟道的底部形成P+区；一氧化膜层，制作在外延片沟道的内壁面上，该氧化膜层的厚度为10纳米‑10微米；一多晶硅层，制作在氧化膜层上，并充满外延片的沟道内；一肖特基金属电极，制作在外延片上，并覆盖该外延片的沟道；一欧姆接触电极，制作在外延片的下表面。
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