[发明专利]荧光反射片、发光二极管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210111099.3 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102738368A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 大薮恭也;伊藤久贵;西冈务;内藤俊树 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供荧光反射片、发光二极管装置及其制造方法。该荧光反射片是用于将荧光体层设在发光二极管元件的厚度方向一侧、并将反射树脂层设在发光二极管元件的侧方的荧光反射片。荧光反射片包括荧光体层及设在荧光体层的厚度方向一侧的表面上的反射树脂层。反射树脂层以与发光二极管元件的侧表面相对配置的方式与发光二极管元件相对应地形成。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 反射 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种荧光反射片，该荧光反射片用于将荧光体层设在发光二极管元件的厚度方向一侧、将反射树脂层设在上述发光二极管元件的侧方，其特征在于，该荧光反射片包括：上述荧光体层；上述反射树脂层，其设在上述荧光体层的厚度方向一侧的表面上；上述反射树脂层以与上述发光二极管元件的侧表面相对配置的方式与上述发光二极管元件相对应地形成。
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