[发明专利]大马士革结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210114816.8 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103377989A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 胡敏达;张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种大马士革结构的制作方法，所述制作方法在制作大马士革结构的过程中，先刻蚀介电层以形成全通孔或部分通孔，然后利用包含O2的第一气体刻蚀介电层以形成全沟槽，所述全沟槽由两次或两次以上的刻蚀步骤形成，且在相邻两次刻蚀步骤之间利用包含CH4的第二气体至少对已形成的部分沟槽进行表面处理，表面处理步骤可以补偿介电层中被损耗的碳，使介电层的介电常数不会增大，从而改善了大马士革结构所在集成电路的RC性能。尤其是当介电层为超低k介电材料时，这种效果更为显著。 | ||
| 搜索关键词： | 大马士革 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，所述介电层为介电常数小于3.9而不小于2.55的低k介电层或介电常数小于2.55的超低k介电层；刻蚀所述介电层，形成部分通孔或全通孔；形成所述部分通孔或全通孔之后，利用包含O2的第一气体对所述介电层进行第一刻蚀，形成部分沟槽；形成所述部分沟槽之后，利用包含CH4的第二气体至少对所述部分沟槽进行表面处理；所述表面处理之后，利用所述第一气体对所述部分沟槽下方的介电层进行第二刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
