[发明专利]一种SiBN块状陶瓷的制备方法有效
申请号: | 201210114820.4 | 申请日: | 2012-04-18 |
公开(公告)号: | CN102659411A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 余木火;刘振全;韩克清;彭雨晴;牟世伟;张婧;袁佳;王征辉;邓智华;孙泽玉;邱显星;唐彬彬;胡建建;贾军;周建军 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/626;C04B35/645;C04B35/64 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达;谢文凯 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种SiBN块状陶瓷的制备方法,包括:(1)将单体氮甲基硅氮硼烷聚合得到前驱体聚合物聚硅氮硼烷;(2)在活性气氛下,将上述前驱体聚合物聚硅氮硼烷进行交联处理,将得到交联的前驱体经球墨粉碎1-5h,得到粒径<200um交联的前驱体粉末;(3)将上述交联的前驱体粉末进行热压成型,得到热压成型后的样品;(4)在活性气氛下,将上述热压成型后的样品进行高温烧结,然后降至室温,即得。本发明的制备方法简单,成本低,无特殊设备要求;本发明所得到的SiBN块状陶瓷C含量低,成分均匀,气孔少密度大,裂纹少,力学性能优良,介电性能好。 | ||
搜索关键词: | 一种 sibn 块状 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种SiBN块状陶瓷的制备方法,包括:(1)将单体氮甲基硅氮硼烷BSZ在60‑250℃,聚合5‑70小时得到前驱体聚合物聚硅氮硼烷PBSZ;(2)在活性气氛下,将上述前驱体聚合物聚硅氮硼烷PBSZ放入反应容器中,升温至150‑600℃,保温2‑50h,进行交联处理,得到交联后的前驱体;将上述交联后的前驱体经球墨粉碎1‑5h,得到粒径<200um交联的前驱体粉末;(3)将上述交联的前驱体粉末进行热压成型,即在50‑650℃、20‑750Mpa压力下保温0.1‑10h,然后降到室温,并在降温过程中逐渐释放压力,得到热压成型后的样品;(4)在活性气氛下,升温至500‑2000℃,将上述热压成型后的样品进行高温烧结,保温0.1‑50h,然后降至室温,即得。
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