[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210117282.4 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102646601A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;曾传滨;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层上形成半导体器件；形成漏电流吸收区，所述漏电流吸收区位于所述半导体器件的漏区一侧，且不与所述漏区相接触。相应地，本发明还提供一种应用本方法制造的半导体结构。采用本发明的方法以及半导体结构可以有效减小厚外延器件中的漏电流，进而提高半导体器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a)提供半导体衬底(100)，并在所述半导体衬底(100)上形成外延层(200)；b)在所述外延层(200)上形成半导体器件，所述半导体器件包括：源漏区(210)和栅极堆叠(220)；c)形成漏电流吸收区(300)，所述漏电流吸收区(300)位于所述半导体器件的漏区一侧，且不与所述漏区相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
