[发明专利]半导体芯片以及其形成方法有效
| 申请号： | 201210118573.5 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103378057A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片，包括基底、第一穿硅通孔、第一穿硅通孔结构、第二穿硅通孔、第二穿硅通孔结构以及被动器件。第一穿硅通孔设置于基底中、并贯穿上表面，第二穿硅通孔亦设置于基底中、贯穿下表面并与第一穿硅通孔相连通。第一穿硅通孔结构设置于第一穿硅通孔中，包括第一通孔导电材料，第二穿硅通孔结构亦设置于第二穿硅通孔中，包括与第一通孔导电材料电气连接的第二通孔导电材料。被动器件覆盖下表面，并与第二通孔导电材料电气连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，其特征在于，包括：基底，具有上表面以及相对于所述上表面的下表面；第一穿硅通孔设置于所述基底中，贯穿所述上表面；第一穿硅通孔结构设置于所述第一穿硅通孔中，包括第一通孔导电材料；第二穿硅通孔设置于所述基底中，贯穿所述下表面并与所述第一穿硅通孔相连通；第二穿硅通孔结构设置于所述第二穿硅通孔中，包括与所述第一通孔导电材料电气连接的第二通孔导电材料；以及被动器件覆盖所述下表面，并与所述第二通孔导电材料电气连接。
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