[发明专利]MOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201210121171.0 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377935A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管的制造方法，首先通过在NMOS器件的半导体衬底和栅极结构表面上沉积张应力盖层或在PMOS器件的半导体衬底和栅极结构表面上沉积压应力盖层，获得高应力性能的器件沟道区，提高载流子迁移率；然后再通过激光脉冲退火和/或激光闪光退火，增强源/漏区掺杂离子的激活，进一步提高载流子迁移率。因此，本发明的MOS晶体管的制造方法制得的器件具有更高的驱动电流，适用于NMOS和PMOS晶体管的制造。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成侧墙；在所述半导体衬底中进行源/漏极区掺杂离子注入；在所述半导体衬底和栅极结构表面沉积应力盖层并进行激光脉冲退火和/或激光闪光退火；移除所述应力盖层，在所述栅极结构顶部和暴露出半导体衬底的上表面形成自对准金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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