[发明专利]一种被动元件之结构有效

专利信息
申请号: 201210124131.1 申请日: 2012-04-24
公开(公告)号: CN103165281A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 李智渊;蔡硕文;黄耀贤;蔡俊毅 申请(专利权)人: 钜永真空科技股份有限公司
主分类号: H01G4/002 分类号: H01G4/002;H01G4/005;H01C7/02;H01C7/04;H01L41/047
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 杨林;金玉兰
地址: 中国台湾台南市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种被动元件之结构。此被动元件的结构包含被动元件本体、第一缓冲层与第一导电层堆叠于被动元件本体的第一表面上,而被动元件本体的第二表面上更可堆叠有第二缓冲层与第二导电层。其中,第一缓冲层与第二缓冲层的厚度均介于30纳米至300纳米之间,第一导电层与第二导电层的厚度均介于80纳米至1000纳米之间。亦或第一导电层与第一缓冲层的厚度比值介于0.26至33.34之间,且第二导电层与第二缓冲层的厚度比值介于0.26至33.34。
搜索关键词: 一种 被动 元件 结构
【主权项】:
一种被动元件之结构,其特征在于,包含:一被动元件本体,该被动元件本体具有一第一表面与一第二表面;至少一第一缓冲层,位于该被动元件本体的第一表面上,该第一缓冲层的厚度介于30纳米至300纳米之间,其中该第一缓冲层的材质为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种;以及,至少一第一导电层,位于该第一缓冲层上,该第一导电层的厚度介于80纳米至1000纳米之间,其中该第一导电层的材质为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。
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