[发明专利]光刻仿真的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201210126228.6 申请日: 2012-04-26
公开(公告)号: CN102681361A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 陈岚;李志刚;吴玉平 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G06F17/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种光刻仿真的方法及装置。该方法包括:将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域;在若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域,搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列;对若干区域同构序列中的每一个区域同构序列,以图形同构方式合并光刻仿真任务,获得光刻仿真结果。本发明光刻仿真方法及装置中,利用区域光刻仿真数据的复用可以有效地减少复杂的仿真计算任务,在不牺牲仿真精度的条件下提高芯片整体光刻仿真速度。
搜索关键词: 光刻 仿真 方法 装置
【主权项】:
一种光刻仿真的方法,其特征在于,包括:将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域;在所述若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域,搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列;对若干个所述区域同构序列中的每一个区域同构序列,以图形同构方式合并光刻仿真任务,获得光刻仿真结果。
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