[发明专利]单层ITO布线结构无效
| 申请号： | 201210130048.5 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102707836A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张开立 | 申请（专利权）人： | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单层ITO的布线结构，所述单层ITO上设有若干电极块，分别交错排列形成若干纵行和纵列，所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的矩形波封闭围成，所述上排矩形波与下排矩形波之间形成空隙，且所述空隙的长度与上排矩形波的波峰长度以及下排矩形波的波谷长度相同。本发明所述单层ITO的布线结构不但简单，而且可以保证触碰时的电容量以及信号强度，使其在触碰侦测时更加稳定；再者，本发明所采用的布线结构，其划线效果较传统更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 ito 布线 结构 | ||
【主权项】：
一种单层ITO的布线结构，所述单层ITO上设有若干电极块，分别交错排列形成若干纵行和纵列，其特征在于：所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的矩形波封闭围成，所述上排矩形波与下排矩形波之间形成空隙，且所述空隙的长度与上排矩形波的波峰长度以及下排矩形波的波谷长度相同。
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