[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一栅极线，第一栅极线以第一间隔布置在衬底之上且每个都被配置成具有硅化物层作为最高层；第二栅极线，第二栅极线以大于第一间隔的第二间隔布置在衬底之上且每个都被配置成具有硅化物层作为最高层；第一绝缘层，第一绝缘层形成在衬底之上的第一栅极线之间且包括间隙；第二绝缘层，第二绝缘层形成在第二栅极线的侧壁上；刻蚀停止层，刻蚀停止层与第二绝缘层相邻；第三绝缘层，第三绝缘层位于第一栅极线之上和之间以及第二栅极线之上和之间；第三绝缘层之上的覆盖层；以及与覆盖层和第三绝缘层相邻且与结耦接的接触插塞，结与第二栅极线之间的衬底相邻。

主权项

一种半导体器件，包括：第一栅极线，所述第一栅极线以第一间隔布置在半导体衬底之上且每个第一栅极线都包括以金属硅化物层作为顶层的多个层；第二栅极线，所述第二栅极线以大于所述第一间隔的第二间隔布置在所述半导体衬底之上且每个第二栅极线都包括以金属硅化物层作为顶层的多个层；第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述半导体衬底之上的第一栅极线之间且被配置成包括空气间隙；第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在所述第二栅极线的彼此相邻的侧壁上；刻蚀停止层，所述刻蚀停止层形成在所述第二绝缘层的侧壁上；第三绝缘层，所述第三绝缘层形成在所述第一栅极线之上和之间以及所述第二栅极线之上和之间；形成在所述第三绝缘层之上的覆盖层；以及接触插塞，所述接触插塞被形成为在所述第二间隔中穿通所述覆盖层和所述第三绝缘层，以便与形成在所述第二栅极线之间的半导体衬底中的结耦接。