[发明专利]降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法有效
| 申请号： | 201210136027.4 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683185A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法，用于制备PMOS，先提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极一侧的半导体衬底为源极区，另一侧的半导体衬底为漏极区，其特征在于，还包括：步骤1，制作栅极侧墙，并进行P型重掺杂硼注入后进行热退火；步骤2，移除侧墙并进行轻掺杂漏极注入，并采用碳辅助注入工艺；步骤3，沉积硅化物掩模以制作新的侧墙；步骤4，形成自对准硅化物。本发明通过整碳辅助注入工艺流程中的P型重掺杂硼注入步骤和轻掺杂漏极注入步骤，避免了无法较好的扩散的问题，降低了多晶硅栅耗尽。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 辅助 注入 工艺流程 多晶 耗尽 方法 | ||
【主权项】：
一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法，用于制备PMOS，先提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极一侧的半导体衬底为源极区，另一侧的半导体衬底为漏极区，其特征在于，还包括：步骤1，制作栅极侧墙，并进行P型重掺杂硼注入后进行热退火；步骤2，移除侧墙并进行轻掺杂漏极注入，并采用碳辅助注入工艺；步骤3，沉积硅化物掩模以制作新的侧墙；步骤4，形成自对准硅化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210136027.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
