[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210137492.X | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103094345A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 金承焕 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，以能够容易地形成位线，增加位线工序裕量，并减小相邻的位线之间的电容。半导体器件包括：第一柱和第二柱，其均从半导体基板竖直地延伸，并包括竖直沟道区；第一位线，其位于第一柱和第二柱内的竖直沟道区的下方部分中；以及层间绝缘膜，其位于包括第一位线的第一柱和第二柱之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一柱和第二柱，其均从半导体基板竖直地延伸，并且均包括竖直沟道区；第一位线，其位于所述第一柱和所述第二柱中任一者内的竖直沟道区的下方部分中；以及层间绝缘膜，其位于所述第一柱和所述第二柱之间。
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