[发明专利]送液装置及送液方法无效
申请号: | 201210140539.8 | 申请日: | 2012-05-08 |
公开(公告)号: | CN102810495A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 广濑治道;牧野勉 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B23Q11/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;杨谦 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供可供给具有所需起泡率的处理液的送液装置及送液方法。送液装置具备:第一流路,流动有含气体的液体;第二流路,与第一流路连通,开口面积小于第一流路的开口面积,若设定成在第一流路流动的液体的第一压力为P1,其第一流速为V1,在第二流路流动的液体的第二压力为P2,其第二流速为V2,液体的密度为ρ,重力加速度为g,急缩损失系数为fsc,液体的流量为Q,第一流路的开口面积为S1,第二流路的开口面积为S2,则第一压力P1与第二压力P2的差压,流量Q,第一流路的开口面积S1及第二流路的开口面积S2满足关系式:P1-P2=((1+fsc)×V22/2g-V12/2g)×ρg、Q=V1×S1=V2×S2,在第二流路中流动的液体的雷诺数是会在第二流路中产生紊流的值。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种送液装置,其特征在于,具备:第一流路,流动有含有气体的液体;和第二流路,与上述第一流路连通,具有比上述第一流路的开口面积小的开口面积,若将在上述第一流路中流动的上述液体的第一压力设为P1,将在上述第一流路中流动的上述液体的第一流速设为V1,将在上述第二流路中流动的上述液体的第二压力设为P2,将在上述第二流路中流动的上述液体的第二流速设为V2,将上述液体的密度设为ρ,将重力加速度设为g,将急缩损失系数设为fsc,将流入上述第一流路的上述液体的流量设为Q,将上述第一流路的开口面积设为S1,将上述第二流路的开口面积设为S2,则上述第一压力P1与上述第二压力P2的差压、流入上述第一流路的上述液体的流量Q、上述第一流路的开口面积S1以及上述第二流路的开口面积S2满足如下关系式:P1-P2=((1+fsc)×V22/2g-V12/2g)×ρgQ=V1×S1=V2×S2,在上述第二流路中流动的上述液体的雷诺数是会在上述第二流路中产生紊流的值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造