[发明专利]半导体集成器件及其制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种半导体集成器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，该基底包括有源区和隔离区、电阻形成层和牺牲层；去除部分牺牲层材料和电阻形成层材料，在形成伪栅和电阻，伪栅包括部分电阻形成层材料和牺牲层材料，电阻仅包括部分电阻形成层材料，电阻的表面高度低于伪栅的表面高度；形成第一介质层；平坦化第一介质层，仅暴露出伪栅表面；形成金属栅开口；填充金属栅开口，得到金属栅极。本发明实施例通过在电阻形成层表面上设置牺牲层，之后去除电阻上方的牺牲层，而保留伪栅区域的牺牲层，使伪栅表面的高度高于电阻表面的高度，避免在后续平坦化过程中损伤到电阻表面，使电阻的阻值满足设计要求，提高了半导体集成器件的良率。

主权项

一种半导体集成器件制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括有源区和隔离区、覆盖所述有源区和隔离区表面的电阻形成层和覆盖所述电阻形成层表面的牺牲层；去除部分牺牲层材料和电阻形成层材料，以在所述有源区表面上形成伪栅，在所述隔离区表面上形成电阻，其中，所述伪栅包括部分电阻形成层材料及位于其表面上的牺牲层材料，所述电阻仅包括部分电阻形成层材料，所述电阻的表面高度低于所述伪栅的表面高度；在基底表面上形成第一介质层；平坦化所述第一介质层，仅暴露出所述伪栅表面；以所述第一介质层为掩膜，去除伪栅区域的电阻形成层材料和牺牲层材料，在所述第一介质层表面内形成金属栅开口；填充所述金属栅开口，得到金属栅极。