[发明专利]监控外延轮廓的测试键

摘要

本公开内容提供了用于估计其他半导体器件中的外延生长半导体材料的高度的方法和装置。该方法包括：在第一半导体器件上方外延地生长半导体材料的第一部分、第二部分和第三部分；测量半导体材料的第三部分的高度和半导体材料的第一部分或第二部分的高度；测量流经半导体材料的第一部分和第二部分的第一饱和电流；测量流经半导体材料的第一部分和第三部分的第二饱和电流；制备相对于半导体材料的第一或第二部分的高度的第一饱和电流以及半导体材料的第一部分和第三部分的平均高度的第二饱和电流的模型。该模型用于估计在其他半导体器件中外延生长的半导体材料的高度。本发明还提供了监控外延轮廓的测试键。

主权项

一种估计其他半导体器件中的外延生长半导体材料的高度的方法，包括：在第一半导体器件上方外延生长半导体材料的第一部分、第二部分和第三部分，半导体材料的所述第三部分相对于半导体材料的所述第一部分和所述第二部分具有减小的尺寸；测量半导体材料的所述第三部分的高度以及半导体材料的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个的高度；测量流经半导体材料的所述第一部分和所述第二部分的第一饱和电流；测量流经半导体材料的所述第一部分和所述第三部分的第二饱和电流；制备模型，所述模型为相对于半导体材料的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个的高度的第一饱和电流以及相对于半导体材料的所述第一部分和所述第三部分的平均高度的第二饱和电流的模型；以及使用所述模型来估计所述其他半导体器件中的外延生长半导体材料的高度。