[发明专利]一种具有沟槽肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210144456.6 | 申请日： | 2012-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103378177B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有沟槽肖特基半导体装置，包括了MOS结构、PN结和肖特基势垒结；通过MOS结构改变反向偏压的电场分布，从而改善器件的正向导通特性；通过PN结改善器件的瞬态高压的承受能力，同时当半导体装置在正向小电流密度下，PN结不发生开启，从而减少了器件的少子注入，提高了器件的反向恢复特性；本发明提供了一种具有沟槽肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽内壁底部表面和侧壁下部表面有绝缘层，沟槽侧壁上部表面没有绝缘层，具有绝缘层的沟槽内填充有介质材料多晶硅或者金属；第二传导类型的半导体材料区，位于沟槽之间漂移层上部，为第二传导类型的半导体材料构成，第二导电半导体材料沟槽侧壁表面为欧姆接触区，第二传导类型的半导体材料区的上表面覆盖绝缘材料或欧姆接触金属；肖特基势垒结，位于沟槽侧壁上部第一传导类型的半导体材料表面。
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