[发明专利]启动电路和包括启动电路的带隙基准源电路

摘要

本发明提供一种用于带隙基准源电路的启动电路，所述带隙基准源电路包括由运算放大器和两个PMOS管构成的负反馈电路以及两个双极型晶体管，所述启动电路包括一个开关管，该开关管一端连接在带隙基准源电路的运算放大器一个输入端，所述开关管由power down控制信号的电平高低控制导通与关闭，当关断带隙基准源电路时，开关管关闭，启动带隙基准源电路时，开关管导通。相应地，本发明还提供一种包括启动电路的带隙基准源电路。通过控制信号的电平高低使开关管导通或关闭，在power down为高电平时启动电路能够完全关断带隙基准源电路，同时能够保证启动电路的正常工作，并且启动电路本身具有极低的功耗。

主权项

一种用于带隙基准源电路的启动电路，所述带隙基准源电路包括由运算放大器和两个PMOS管构成的负反馈电路以及两个双极型晶体管，其特征在于，所述启动电路包括三个PMOS管、三个NMOS管以及一个开关管，其中，第一PMOS管和第一NMOS管串联在电源和虚地之间，第一PMOS管和第一NMOS管的漏端都连接在运算放大器的输出端，第一PMOS管的栅极接第二控制信号，第一NMOS管的栅极接第二NMOS管的漏极；第二PMOS管和第二NMOS管串联在电源和虚地之间，第二PMOS管和第二NMOS管的栅极通过开关管连接在运算放大器的一个输入端；在启动电路启动带隙基准源电路瞬间，所述开关管导通使第二PMOS管和第二NMOS管的栅极存储电荷转移到所述带隙基准源电路的双极型晶体管上形成电流；在带隙基准源电路完全启动并且工作稳定后，第二PMOS管和第二NMOS管的栅极电位由带隙基准源电路中双极型晶体管的导通压降决定；第三PMOS管的源极接电源，第三PMOS管的漏极接第二PMOS管的栅极，第三PMOS管的栅极接第二控制信号；第三NMOS管的漏极和源极分别与第二NMOS管的漏极和源极连接，第三NMOS管的栅极接第一控制信号；所述第一控制信号与所述第二控制信号为电平相反信号；所述第一控制信号和/或所述第二控制信号控制所述开关管的导通与关闭。