[发明专利]具有低导通电阻的MOS器件的几何图形有效
| 申请号： | 201210147239.2 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102709285A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 塞哈特·苏塔迪嘉;拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李晓冬 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低导通电阻的MOS器件的几何图形。公开了一种在衬底上形成的金属氧化物半导体(MOS)器件以及一种用于形成该MOS器件的方法。MOS器件包括：漏极区；围绕漏极区的栅极区；源极区，这些源极区被布置在栅极区周围并且与漏极区相对；以及体区，这些体区被布置在栅极区周围并且分隔源极区。栅极区被形成为环绕在漏极区的周围。以此方式，降低了MOS器件的导通电阻(Ron)，而不增加MOS器件的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 mos 器件 几何图形 | ||
【主权项】：
一种在衬底上形成的金属氧化物半导体MOS器件，包括：漏极区，其中所述漏极区具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形状；栅极区，所述栅极区围绕所述漏极区，并且以闭环形式形成在所述漏极区周围，其中所述栅极区具有与(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏极区的形状相对应的形状；多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的外围，其中所述多个源极区中的每个源极区具有矩形的形状；以及多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的拐角处，其中所述体区分隔所述源极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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