[发明专利]发光器件及其制造方法和发光器件封装

摘要

提供一种发光器件及其制造方法和发光器件封装。发光器件包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，位于第一导电类型半导体层上；有源层，位于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间，有源层包括多个阱层和多个势垒层。多个势垒层包括第一势垒层，距离第二导电类型半导体层最近，第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近第一势垒层；至少一个第三势垒层，位于第二势垒层与第一导电类型半导体层之间。多个阱层包括第一阱层，位于第一势垒层与第二势垒层之间，第一阱层具有第三带隙；及第二阱层，位于第二势垒层与至少一个第三势垒层之间，第二阱层具有第二带隙。第一阱层的厚度比第二阱层薄，且第三带隙不同于第一带隙。

主权项

一种发光器件，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，位于所述第一导电类型半导体层上；以及有源层，位于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中，所述多个势垒层包括：第一势垒层，距离所述第二导电类型半导体层最近，所述第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近所述第一势垒层；以及至少一个第三势垒层，位于所述第二势垒层与所述第一导电类型半导体层之间；所述多个阱层包括：第一阱层，位于所述第一势垒层与所述第二势垒层之间，所述第一阱层具有第三带隙；以及第二阱层，位于所述第二势垒层与所述至少一个第三势垒层之间，所述第二阱层具有第二带隙；所述第一阱层的厚度比所述第二阱层的厚度薄；所述第三带隙不同于所述第一带隙；其中，所述第一导电类型半导体层包括n型掺杂物，并且所述第二导电类型半导体层包括p型掺杂物；其中，所述第一阱层和所述第二阱层包括基于InGaN的半导体；其中，所述第一阱层的铟含量小于所述第二阱层的铟含量；并且其中，所述多个势垒层具有所述第一带隙。