[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，其为高效率功率MOS晶体管，比现有技术进一步改善了具有低导通电阻特性的功率MOS晶体管的开关特性。半导体芯片（100）具有：栅极电极（6），其在由指状电极构成的源极电极（8）与漏极电极（9）之间从指状电极的一端部（GE1）延伸到另一端部（GE2）；栅极引出电极，其经由形成于层间绝缘膜（7）的接触孔分别与栅极电极的端部（GE1，GE2）连接；钝化膜（12），其覆盖在所述层间绝缘膜上；栅极连接电极（G1，G2），其成为所述栅极引出电极的一部分，在该钝化膜的开口部露出；突起电极（25），其形成于该栅极连接电极。该半导体芯片（100）经由该突起电极与形成于BGA基板（200）的表面（201）的电阻低的栅极电极分流用基板布线（23）连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有基板和半导体芯片；在该基板上形成有栅极电极分流用基板布线、基板源极布线及基板漏极布线；该半导体芯片包括：由指状电极构成的源极电极和漏极电极；在所述源极电极与所述漏极电极之间，从所述指状电极的一端部延伸到另一端部的栅极电极；经由形成于覆盖在所述栅极电极上的层间绝缘膜的接触孔与所述栅极电极的两端部连接的两个栅极引出电极；覆盖在所述层间绝缘膜上的钝化膜；在形成于所述钝化膜的开口部露出的所述栅极引出电极的一部分即栅极连接电极、所述源极电极的一部分即源极连接电极、所述漏极电极的一部分即漏极连接电极；在所述栅极连接电极、所述源极连接电极及所述漏极连接电极上形成的突起电极；所述基板的所述栅极电极分流用基板布线、所述基板源极布线及所述基板漏极布线分别经由所述突起电极与所述半导体芯片的所述栅极连接电极、所述源极连接电极及所述漏极连接电极连接。