[发明专利]LDMOS晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 201210162451.6 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103426927B | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 杨文清;邢军军;赵施华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS晶体管，其结构是在P外延上部形成有一P阱及一N阱，所述P阱上部形成有一N+区作为源极，并形成有一P+区作为P阱接地极，所述N阱上部形成有一N+区作为漏极；所述作为源极的N+区与作为P阱接地极的P+区相邻接；所述作为源极的N+区及作为P阱接地极的P+区的下方的P阱中形成有一低阻P+区，所述低阻P+区同所述作为P阱接地极的P+区相连接，所述作为P阱接地极的P+区及所述低阻P+区的P掺杂浓度比所述P阱的P掺杂浓度高。本发明还公开了一种LDMOS晶体管的制造方法。本发明，能防止LDMOS晶体管因寄生的NPN管触发而被烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在P外延中形成一P阱及一N阱；二.进行位于所述P阱上的作为源极的N+区，以及位于所述N阱上的作为漏极的N+区的光刻胶涂胶、显影；三.进行位于所述P阱上的作为源极的N+区，以及位于所述N阱上的作为漏极的N+区的N离子注入；四.进行位于所述P阱上的作为源极的N+区的下方的低阻P+区的P离子注入；五.去除光刻胶并清洗；六.进行位于所述P阱上的作为P阱接地极的P+区的光刻胶涂胶、显影，P阱接地极的P+区与作为源极的N+区邻接并位于远离所述N阱的一侧；七.进行位于所述P阱上的作为P阱接地极的P+区的P离子注入；八.进行位于所述P阱上的作为P阱接地极的P+区的下方的低阻P+区的P离子注入；九.进行后续工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210162451.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三箱轿车节油尾罩
- 下一篇：一种用于汽车四轮定位的支臂
- 同类专利
- 专利分类
