[发明专利]半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置无效
| 申请号： | 201210162821.6 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102810543A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 永泽耕一;池田雅延;村田康博 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;G09F9/33;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置。其中，该半导体装置包括：下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体；厚膜绝缘层，设置在第一导电体和第二导电体之间；以及接触部，被形成为仿效对于绝缘层的通孔的内表面形状并且电连接第一导电体和第二导电体，其中，通孔的锥度角是锐角。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 显示装置 电子 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体；厚膜绝缘层，设置在所述第一导电体和所述第二导电体之间；以及接触部，被形成为仿效对于所述绝缘层的通孔的内表面形状并且电连接所述第一导电体和所述第二导电体，其中，所述通孔的锥度角是锐角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
