[发明专利]锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210165698.3 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102676167A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 范叶霞;夏士兴;俞泽民 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/78 | 分类号： | C09K11/78;C30B29/30;C30B15/20 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法，它涉及一种发光材料及其制备方法。本发明要解决现有LiNbO3:Ho晶体的发光效率低和抗光损伤能力弱的技术问题。本发明材料由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3和Ho2O3制成，制备方法如下：称料、混合料、原料的预烧结、引晶、放肩、等径生长、晶体的极化处理，即得锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料。本发明锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料中掺入2mol％～6mol％ZrO时，晶体的抗光损伤能力极大地提高，相对掺入0mol％ZrO的晶体，其抗光损伤能力提高了三个数量级，随着Zr离子浓度的增加，掺杂晶体的上转换发光强度逐渐增强。 | ||
| 搜索关键词： | 锆镱钬三 掺杂 铌酸锂 晶体 转换 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料，其特征在于所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3和Ho2O3制成，锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料中Li元素与Nb元素的摩尔比为0.946∶1，Yb元素的摩尔百分含量为1％，Ho元素的摩尔百分含量为1％，Zr元素的摩尔百分含量为0～6％。
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