[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种具有外延源漏区域的半导体器件制造方法，在已有工艺在源漏外延锗硅的基础上添加外延硅碳或者锗硅碳材料的源漏区域扩散阻挡层，通过源漏区域扩散阻挡层的引入防止源漏区域掺杂杂质的扩散，从而达到减小SCE和DIBL效应的目的；源漏区域扩散阻挡层的使用还可以减小后续步骤中HALO注入的剂量，这样，如果是源漏区域外延前进行HALO，则可以减小的影响源漏区域表面的影响，如果是源漏区域外延后进行HALO，则可以尽量减小注入造成的源漏区域外延层的应力释放效应。

主权项

一种半导体器件制造方法，用于制造具有外延生长源漏区域的晶体管，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入；形成栅极绝缘层、栅极，定义栅极图形；形成虚设间隙壁，其覆盖在所述栅极的侧壁上；形成源漏区域沟槽；外延生长源漏区域扩散阻挡层，其位于所述源漏区域沟槽的侧壁和底部；外延生长源漏区域，其向晶体管沟道区域提供应力；形成源漏间隙壁；进行退火处理，形成源漏区域；在所述源漏区域上形成金属硅化物，其作为所述源漏极的接触。