[发明专利]一种非易失性存储器差分存储格的方法和装置有效
| 申请号： | 201210170468.6 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103456354A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;张现聚;刘奎伟;丁冲 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种非易失性存储器差分存储格的方法和装置，其中所述的方法，包括：选取两个存储块，将两个存储块中同一字线上的存储单元并联，生成存储位；将1比特数据存储在一个存储位中。本申请能够用以提高NAND Flash的读速度，为NAND Flash取代NOR Flash，降低flash内存的单位成本，并且能够实现单芯片更大的存储容量创造条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 存储 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器差分存储单元处理数据的方法，其特征在于，所述非易失性存储器包括若干存储块；所述存储块包括若干存储单元、一个源极选通管和一个漏极选通管，所述一个存储单元对应一个字线；所述的方法，包括：选取两个存储块，将两个存储块中同一字线上的存储单元并联，生成存储位；将1比特数据存储在一个存储位中。
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