[发明专利]一种Nand-flash 存储器写操作的方法和装置无效
| 申请号： | 201210170506.8 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103455427A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;张现聚;刘奎伟;丁冲 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F11/08 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 100083 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种Nand-flash存储器写操作的方法和装置，其中所述的方法，包括：接收写操作指令，所述写操作指令中包括目标数据和目标地址；根据所述目标地址将需要执行写操作的page数据读取到缓存器中；将所述目标数据和page数据更新生成目标page数据；对存储所述page数据所在的存储阵列进行擦除，将目标page数据编写到所述存储阵列中；对所述目标page数据进行ECC检测。本申请能够防止所述Nand-flash写操作产生的数据错误，提高所述Nand-flash写操作的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 存储器 操作 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种Nand‑flash存储器写操作的方法，其特征在于，所述Nand‑flash中包括存储阵列；所述的方法，包括：接收写操作指令，所述写操作指令中包括目标数据和目标地址；根据所述目标地址将需要执行写操作的page数据读取到缓存器中；将所述目标数据和page数据更新生成目标page数据；对存储所述page数据所在的存储阵列进行擦除，将目标page数据编写到所述存储阵列中；对所述目标page数据进行ECC检测。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司，未经北京兆易创新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210170506.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种USB设备通讯方法
- 下一篇：基于程序控制依赖引导的回归测试案例生成方法
