[发明专利]功放装置有效
申请号: | 201210171618.5 | 申请日: | 2012-05-29 |
公开(公告)号: | CN102710226A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 管少钧;张振浩;杜黎明;李俊杰;万幸 | 申请(专利权)人: | 上海艾为电子技术有限公司 |
主分类号: | H03F3/217 | 分类号: | H03F3/217;H03F1/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 200233 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明技术方案提供一种功放装置,包括:电流提供单元、第一MOS管、第二MOS管、滤波电容、共模电压产生单元和第一放大器;所述电流提供单元,适于产生基准电流;所述共模电压产生单元,适于产生第一共模电压;所述第一MOS管的源极适于输入第一共模电压,所述第一MOS管的漏极连接所述滤波电容的第一极,所述第一MOS管的栅极连接所述第二MOS管的栅极;所述第二MOS管的源极连接所述第一MOS管的源极,所述第二MOS管的漏极与栅极相连接,所述第二MOS管的漏极适于输入基准电流;所述滤波电容的第一极连接所述第一放大器的共模电压输入端,第二极接地;其中,所述基准电流使所述第一MOS管工作在亚阈值区。 | ||
搜索关键词: | 功放 装置 | ||
【主权项】:
一种功放装置,其特征在于,包括:电流提供单元、第一MOS管、第二MOS管、滤波电容、共模电压产生单元和第一放大器;所述电流提供单元,适于产生基准电流;所述共模电压产生单元,适于产生第一共模电压;所述第一MOS管的源极适于输入第一共模电压,所述第一MOS管的漏极连接所述滤波电容的第一极,所述第一MOS管的栅极连接所述第二MOS管的栅极;所述第二MOS管的源极连接所述第一MOS管的源极,所述第二MOS管的漏极与栅极相连接,所述第二MOS管的漏极适于输入基准电流;所述滤波电容的第一极连接所述第一放大器的共模电压输入端,第二极接地;其中,所述基准电流使所述第一MOS管工作在亚阈值区。
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