[发明专利]发光二极管的制造方法无效
申请号: | 201210176220.0 | 申请日: | 2012-05-31 |
公开(公告)号: | CN103456861A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 林厚德;陈滨全 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管的制造方法,其包括如下步骤:提供具有电极的基板;提供发光芯片,并使其电性连接至所述电极上;提供反射层并提供滚刀、带动所述滚刀转动的转轴以及控制滚刀位移的控制装置,所述控制装置控制滚刀下行而研磨所述反射层直至形成适当深度的沟槽,同时,所述滚刀相应的侧面研磨沟槽的内表面,如此多次反复从而在反射层上形成收容孔;固定反射层于基板上,并使基板上的发光芯片收容于对应的收容孔内。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管的制造方法,其包括如下步骤:提供具有电极的基板;提供发光芯片,并使其电性连接至所述电极上;提供反射层并提供滚刀、带动所述滚刀转动的转轴以及控制滚刀位移的控制装置,所述控制装置控制滚刀下行而研磨所述反射层直至形成适当深度的沟槽,同时,所述滚刀相应的侧面研磨沟槽的内表面,如此多次反复从而在反射层上形成收容孔;固定反射层于基板上,并使基板上的发光芯片收容于对应的收容孔内。
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