[发明专利]具有加强帽盖层的半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210176812.2 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103151372A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 何佳谚 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，其包含有一基材、一主体结构，位于所述基材上、一侧壁子，设于所述主体结构的一侧壁表面、以及一加强帽盖层，设于所述侧壁子的一上端表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 加强 盖层 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包含：一基材；一主体结构，位于所述基材上；一侧壁子，设于所述主体结构的一侧壁表面；以及至少一加强帽盖层，设于所述侧壁子的一上端表面。
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