[发明专利]存储可靠性验证技术有效
| 申请号： | 201210177349.3 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810335A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 乔尔·哈特施;卡尔·霍夫曼;彼得·胡贝尔;西格马尔·克佩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开的一些实施方式涉及用于半导体存储器的改良的可靠性验证技术。并非仅通过判定存储单元在正常的读/写条件下是否准确存储“1”或“0”来执行BIST测试，本发明的各方面涉及测试单元的读和/或写裕量的BIST测试。在BIST测试期间，读和/或写裕量可以是递增加强直到针对该单元确定故障点。以这种方式，可以识别阵列中的“弱”存储单元，并且如果必要的话可以采取适当的动作来处理这些弱单元。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 可靠性 验证 技术 | ||
【主权项】：
一种存储设备，包括：存储单元，包括：一对交叉耦合的反相器，被配置为协同地存储至少一位数据，以及第一和第二存取晶体管，所述第一和第二存取晶体管的各自的源极耦接至所述反相器的相应的输入端；第一和第二位线，分别耦接至所述第一和第二存取晶体管的各自的漏极；字线，分别耦接至所述第一和第二存取晶体管的第一和第二栅极；第一和第二位线驱动器，分别耦接至所述第一和第二位线；所述第一和第二位线驱动器被配置为基于将被写入所述存储单元的所预期的数据状态来选择性地有效对于所述第一和第二位线的预定电流脉冲；以及失真电路，耦接至所述第一和第二位线，并被配置为在所述字线有效的同时，向所述第一或第二位线中的至少一条增添电流或从所述第一或第二位线中的至少一条减少电流，从而测试所述存储单元的写裕量或读裕量。
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