[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201210180071.5 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103456613A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王文博;卜伟海;俞少峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：A）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括周边区域和核心区域；B）在所述半导体衬底上依次形成栅氧化物层和刻蚀停止层；C）在所述刻蚀停止层上形成位于所述周边区域的第一伪栅极、位于所述核心区域的第二伪栅极以及包围所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的介电层；D）去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极，以形成第一开口和第二开口；以及E）去除所述第一开口和所述第二开口内的刻蚀停止层。本发明的方法通过在周边器件和核心器件的栅氧化物层上形成刻蚀停止层，可以避免去除伪栅极过程对周边器件的栅氧化物层造成损伤，进而有效地避免半导体器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，其特征在于，包括：A）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括周边区域和核心区域；B）在所述半导体衬底上依次形成栅氧化物层和刻蚀停止层；C）在所述刻蚀停止层上形成位于所述周边区域的第一伪栅极、位于所述核心区域的第二伪栅极以及包围所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的介电层；D）去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极，以形成第一开口和第二开口；以及E）去除所述第一开口和所述第二开口内的刻蚀停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
