[发明专利]一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210181890.1 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103447097A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 包信和;李星运;周永华;潘秀莲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | B01J32/00 | 分类号： | B01J32/00;B01J27/224;B01J27/24 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型高比表面积SiC基的新型纳米碳复合材料制备方法。通过选择合成温度、气氛、不同催化剂，可实现在SiC表面控制生长出一层或多层不同厚度的碳层，且该碳层的形貌和结构特点随合成条件不同而不同。本发明实现了基于SiC的C-SiC复合材料的合成，该复合材料同时具有碳材料与SiC的优势，可应用于催化和吸附中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 新型 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法，具体步骤如下：将SiC在He气氛下通过程序控制升高到700‑1000℃，然后将CCl4通过He气鼓泡形式通入，反应0.1‑5小时，在纯He气氛下降温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院大连化学物理研究所，未经中国科学院大连化学物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210181890.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：横向切割刀具及碎纸刀
- 下一篇：切片混合料仓
