[发明专利]MOS晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210183105.6 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456786A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS晶体管结构，包括：一衬底；形成于所述衬底中的隔离体；形成于所述衬底和隔离体上的轻掺杂层；以及形成于所述轻掺杂层上的无掺杂层和栅极结构。同时，本发明公开了一种MOS晶体管结构的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成隔离体；在所述衬底和隔离体上生长外延层；所述外延层进行第一次离子注入形成轻掺杂层；在所述轻掺杂层上形成无掺杂层。本发明的技术方案消除了器件的尺寸缩小和降低功耗之间的矛盾。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管结构，包括：一衬底；形成于所述衬底中的隔离体；形成于所述衬底以及隔离体上的轻掺杂层；以及形成于所述轻掺杂层上的无掺杂层和栅极结构。
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