[发明专利]一种掩膜版及套刻精度的测量方法有效
| 申请号： | 201210183489.1 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103454852A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 舒强;黄宜斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩膜版及套刻精度的测量方法，掩膜版外围区具有多个第一标记A和第二标记B，如此在整个晶圆曝光完成后，每个曝光单元的外围区会相交，从而一个曝光单元的第一标记A和第二标记B会分别于相邻曝光单元的第二标记B和第一标记A进行嵌套，在此基础上测量相嵌套的第一标记A和第二标记B的关系，可以确定第一层的曝光单元间的套刻精度，从而较好的把握产品的初始状况，并且将所测得的第一层的曝光单元间的套刻精度上传先进过程控制系统，能够把握后续各层的曝光单元间的套刻精度和该系列产品的整体状况，非常符合实际生产需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 精度 测量方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜版，其特征在于，包括：图案区及外围区；所述外围区具有用于对准的多个第一标记A及多个第二标记B，其中，第一标记A与第二标记B具有不同的尺寸。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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