[发明专利]薄膜晶体管基板以及显示器在审
| 申请号： | 201210185196.7 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456738A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李冠锋 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;奇美电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管基板以及显示器。该薄膜晶体管基板包括：一基板；多个薄膜晶体管，设置于基板上，其中，每一薄膜晶体管包含：一栅极，配置于基板上；一第一扩散阻障层，配置于基板上并覆盖栅极；一栅绝缘层，配置于第一扩散阻障层上；一有源层，配置于栅绝缘层上，并位于栅极上方；一源极，配置于基板上并电连接有源层；一漏极，配置于基板上并电连接有源层；以及一保护层，覆盖源极与漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 显示器 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板，包括：基板；多个薄膜晶体管，设置于该基板上，其中，每一薄膜晶体管包含：栅极，配置于该基板上；第一扩散阻障层，配置于该基板上并覆盖该栅极；栅绝缘层，配置于该第一扩散阻障层上；有源层，配置于该栅绝缘层上，并位于该栅极上方；源极，配置于该基板上并电连接该有源层；漏极，配置于该基板上并电连接该有源层；以及保护层，覆盖该源极与该漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群康科技（深圳）有限公司;奇美电子股份有限公司，未经群康科技（深圳）有限公司;奇美电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210185196.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：像素单元及其制造方法、阵列基板和显示装置
- 下一篇：一种集团财务管理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
