[发明专利]三维集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 201210189854.X | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103021960A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;吴文进;施应庆;洪瑞斌;卢思维;郑心圃;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造三维集成电路的方法，包括：提供晶圆叠层，其中，将多个半导体管芯安装在第一半导体管芯上方；将模塑料层形成在第一半导体管芯的第一面上方，其中，将多个半导体管芯内嵌在模塑料层中。方法进一步包括：研磨第一半导体管芯的第二面直到暴露多个通孔；将晶圆附接至带框并切割晶圆叠层，从而将晶圆叠层分成多个独立封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供叠层，其中，将多个半导体管芯安装在晶圆的第一面上方；模塑料层形成在所述晶圆的所述第一面上方，其中，所述多个半导体管芯内嵌在所述模塑料层中；薄化所述晶圆的第二面直到暴露多个通孔；将叠层附接至带框；以及切割所述叠层，从而将所述叠层分成多个独立封装件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210189854.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直射式红外线快速加热器
- 下一篇：一种新型复合吸塑模具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
