[发明专利]半导体用粘接膜、复合片及使用它们的半导体芯片的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210191649.7 申请日: 2008-03-31
公开(公告)号: CN102709201A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 中村祐树;北胜勉;片山阳二;畠山惠一 申请(专利权)人: 日立化成工业株式会社
主分类号: H01L21/58 分类号: H01L21/58;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/29;C09J7/00;C09J179/08;C08G73/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体用粘接膜,其能够在低温下贴附在半导体晶片,可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时,以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂,可以利用含有由下述化学式(I)表示的4,4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐;与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到,能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
搜索关键词: 半导体 用粘接膜 复合 使用 它们 芯片 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体用粘接薄膜在半导体芯片的制造方法中的应用,所述半导体用粘接薄膜含有聚酰亚胺树脂,并且能够在100℃以下贴附于半导体晶片,所述聚酰亚胺树脂能够利用以总体的50质量%以上的比例含有由下述化学式(I)表示的4,4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐与以总体的30质量%以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应来得到,式(II)中,R表示碳数为1~5的烷基、碳数为1~5的烷氧基、苯基或苯氧基,同一分子中的多个R可以相同或不同,n及m分别独立地表示1~3的整数,所述半导体芯片的制造方法包括准备层叠体的工序,将半导体晶片、所述半导体用粘接薄膜以及切割胶带依次层叠,按照将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片,并且将所述半导体用粘接薄膜的厚度方向的至少一部分不切断而保留的方式,从所述半导体晶片侧形成切槽;通过将所述切割胶带沿着使所述多个半导体芯片相互分离的方向拉伸,而将所述半导体用粘接薄膜沿着所述切槽分割的工序。
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