[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210192148.0 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103199064A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王参群;蔡俊雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有位错的半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件和用于制造半导体器件的方法提高载流子迁移率。该方法包括：提供其中具有隔离部件的衬底和位于衬底上方的两个栅叠层，其中，栅叠层之一位于隔离部件的顶部。该方法进一步包括对衬底实施预非晶化注入工艺。该方法进一步包括形成与栅叠层的侧壁邻接的隔离件，其中，至少一个隔离件延伸超过隔离部件的边缘。该方法进一步包括在衬底上方形成应力膜。该方法还包括对衬底和应力膜实施退火工艺。还提供了形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成隔离部件；在所述衬底上方形成第一栅叠层和第二栅叠层，其中，所述第一栅叠层基本上位于所述隔离部件的顶部；对所述衬底实施预非晶化注入工艺；形成与所述第一栅叠层的侧壁邻接的隔离件，其中，与所述第二栅叠层邻近的所述隔离件之一延伸超过所述隔离部件的边缘；在所述衬底上方形成应力膜；以及对所述衬底实施退火工艺；去除所述应力膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210192148.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：池炉智能测控系统
- 下一篇：用于铁路计量设备的远程监控系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
