[发明专利]包括多晶硅电阻器和金属栅极电阻器的半导体器件及其制造方法

摘要

所描述的方法包括提供半导体衬底。在半导体衬底上方形成第一栅极结构，并且邻近第一栅极结构形成牺牲栅极结构。使用代替栅极方法，可以将牺牲栅极结构用于形成金属栅极结构。形成覆盖第一栅极结构和牺牲栅极结构的介电层。介电层在第一栅极结构的顶面上方具有第一厚度，并且在牺牲栅极结构的顶面上方具有的第二厚度，第二厚度小于第一厚度(例如，参见图5、图15、图26)。从而，介电层的随后平坦化工艺可以不与第一栅极结构接触。本发明还提供了包括多晶硅电阻器和金属栅极电阻器的半导体器件及其制造方法。

主权项

一种方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成第一栅极结构；在邻近所述第一栅极结构的所述半导体衬底上方形成牺牲栅极结构；以及形成覆盖所述第一栅极结构和所述牺牲栅极结构的介电层，其中，所述介电层在所述第一栅极结构的顶面上方具有第一厚度并且在所述牺牲栅极结构的顶面上方具有第二厚度，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度。