[发明专利]一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺在审

专利信息
申请号: 201210192588.6 申请日: 2012-06-13
公开(公告)号: CN102738016A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 郭小伟;崔梦;刘建军 申请(专利权)人: 华天科技(西安)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710018 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺,属于集成电路封装技术领域,采用的不同于以往的塑封工艺,框架背面的凹槽和框架载体正反两面分别设的孔,使塑封料填充时形成阶梯状防拖拉结构,采用二次塑封的方法在框架与一次塑封料、二次塑封料之间形成有效的防拖拉结构,大大降低封装件分层情况的发生几率,极大提高产品可靠性,优于传统AQQFN产品的塑封效果,降低了成本。
搜索关键词: 一种 基于 框架 载体 aaqfn 产品 二次 塑封 制作 工艺
【主权项】:
一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺,其特征在于:先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽,先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽,然后采用二次塑封的方法,具体制作工艺按照如下步骤进行:第一步、晶圆减薄;晶圆减薄厚度为50μm~200μm,粗糙度Ra 0.10um~0.30um;第二步、划片;第三步、框架载体开孔;用钻孔或蚀刻的方法在框架载体上开孔,先在框架上面开稍小的孔,后在框架下方开稍大的孔,形成通孔;第四步、采用粘片胶上芯;第五步、压焊;第六步、采用传统塑封料进行一次塑封;第七步、后固化;第八步、框架背面蚀刻凹槽;用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻,形成凹槽,深度控制在框架厚度的一半以内;第九步、二次塑封;第十步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。
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