[发明专利]基于忆阻器和晶体管的存储器及实现多阻态的方法有效
| 申请号： | 201210195545.3 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102709306A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;于迪;李悦;陈冰;张飞飞;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于忆阻器和晶体管的存储器，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III-V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。本发明还提供了一种利用该存储器实现多阻态的方法。本发明通过高迁移率MOS晶体管和忆阻器串联方式，解决了常规MOS晶体管的驱动电流与多阻态存储器开态电流不匹配的问题，同时，利用高迁移率MOS晶体管的大驱动电流能力优势可以获得不同的器件阻态，从而增加数据存储密度，获得较快的存储器件工作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 忆阻器 晶体管 存储器 实现 多阻态 方法 | ||
【主权项】：
一种基于忆阻器和晶体管的存储器，其特征在于，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III‑V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
