[发明专利]鳍式场效应晶体管（FINFET）器件的切割掩模图案化工艺有效
| 申请号： | 201210198957.2 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103247574A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 何韦德;吕奎亮;谢铭峰;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的切割掩模图案化工艺，其中，用于以非矩形图案对多个部件(诸如位于集成电路器件上)进行图案化的方法包括：提供包括具有多个伸长凸起的表面的衬底，伸长凸起在第一方向上延伸。在表面上方和多个伸长凸起上方形成第一层，并利用端部切割掩模对其进行图案化。端部切割掩模包括两个紧邻的图案，亚分辨率部件被定位和配置为使得第一层上的合成图案包括两个紧邻的图案以及位于它们之间的连接部分。该方法进一步包括使用第一层上的图案对伸长凸起进行端部切割。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 finfet 器件 切割 图案 化工 | ||
【主权项】：
一种用于以非矩形图案对多个部件进行图案化的方法，所述方法包括：提供包括具有多个伸长凸起的表面的衬底，伸长凸起在第一方向上延伸；在所述表面的上方和所述多个伸长凸起的上方形成第一层；利用端部切割掩模对所述第一层进行图案化，所述端部切割掩模包括两个紧邻的图案，亚分辨率部件被定位并配置为使得所述第一层上的合成图案包括所述两个紧邻的图案和位于它们之间的连接部分；使用所述第一层上的图案切割所述伸长凸起的端部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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