[发明专利]一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210199801.6 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102719792A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李文英;尹桂林;张柯;姜新来;钟建;余震;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法，该方法利用磁控溅射方法，室温下在清洗干净的基片上依次沉积Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜；通过改变溅射功率和溅射时间改变Zn1-xCuxO膜和Cu膜的厚度，最终可得到电阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的透明导电薄膜，可用于太阳能电池、平板显示器等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 运用 磁控溅射 法制 透明 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用磁控溅射法制备Zn1‑xCuxO/Cu/Zn1‑xCuxO透明导电薄膜的方法，其特征在于：将清洗干净的基片置于磁控溅射腔内，利用磁控溅射方法在纯氩气气氛下依次溅射Zn1‑xCuxO膜、Cu膜、Zn1‑xCuxO膜，得到电阻率小于10‑3Ω·cm，透光率大于80%的Zn1‑xCuxO/Cu/Zn1‑xCuxO透明导电薄膜。
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