[发明专利]一种IGBT功率模块有效
| 申请号： | 201210201158.6 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102693969A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 庄伟东 | 申请（专利权）人： | 南京银茂微电子制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/373 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 樊文红 |
| 地址： | 211200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种IGBT功率模块，由底板、IGBT芯片和FWD芯片组成，所述IGBT芯片反面的集电极和所述IGBT芯片反面的阴极分别通过第一焊料层连接于所述底板的上表面，所述IGBT芯片正面的发射极通过第二焊料层连接有第一导电层，FWD芯片正面的阳极通过第二焊料层连接有第二导电层，所述IGBT芯片、第二焊料层和第一导电层的层叠高度，与所述FWD芯片、第二焊料层和第二导电层的层叠高度相同，发射极表面电极通过第三焊接层连接与所述第一和第二导电层之上，并将所述第一、第二导电层以及外部的信号端子和功率端子连接在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 功率 模块 | ||
【主权项】：
一种IGBT功率模块，由底板、IGBT芯片和FWD芯片组成，其特征是，所述IGBT芯片反面的集电极和所述IGBT芯片反面的阴极分别通过第一焊料层连接于所述底板的上表面，所述IGBT芯片正面的发射极通过第二焊料层连接有第一导电层，FWD芯片正面的阳极通过第二焊料层连接有第二导电层，所述IGBT芯片、第二焊料层和第一导电层的层叠高度，与所述FWD芯片、第二焊料层和第二导电层的层叠高度相同，发射极表面电极通过第三焊接层连接与所述第一和第二导电层之上，并将所述第一、第二导电层以及外部的信号端子和功率端子连接在一起。
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