[发明专利]具有介电隔离沟槽的横向MOSFET有效
| 申请号： | 201210202711.8 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN103311272A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈柏羽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种横向沟槽MOSFET包括在绝缘体上硅衬底上方形成的介电隔离沟槽。横向沟槽MOSFET还包括在漏极/源极区和绝缘体之间形成的第一漂移区，以及在介电隔离沟槽与绝缘体之间形成的第二漂移区。介电沟槽和绝缘体有助于完全耗尽漂移区。被耗尽的区域可提高横向沟槽MOSFET的击穿电压和导通电阻。本发明还公开了具有介电隔离沟槽的横向MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 沟槽 横向 mosfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：具有第一导电性的衬底，所述衬底包括埋在所述衬底中的绝缘层；形成在所述衬底中的具有第二导电性的体区域；形成在所述衬底中的隔离区；形成在所述体区域中的具有所述第一导电性的第一有源区；形成所述衬底中的具有所述第一导电性的第二有源区，其中所述第一有源区和所述第二有源区形成在所述隔离区的相对侧；漂移区，包括：形成在所述第二有源区和所述绝缘层之间的具有所述第一导电性和第一掺杂密度的第一漂移区；和形成在所述隔离区和所述绝缘层之间的具有所述第一导电性和第二掺杂密度的第二漂移区；形成在所述衬底上方的第一介电层；以及形成在所述第一介电层上方的栅极。
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