[发明专利]发光二极管阵列及发光二极管芯片无效
| 申请号： | 201210202715.6 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN103515407A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 杨适存;陈嘉南;刘恒 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 英属大开曼*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种发光二极管阵列，其包括基板、多个发光二极管单元、至少一导光结构及数条互联机。上述发光二极管单元位于基板且彼此电性隔离。每一发光二极管单元包括n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层及主动层。导光结构位于相邻二发光二极管单元之间的一间隔。互联机电性连接上述发光二极管单元。另外，本发明揭露一种发光二极管芯片。采用本发明可将光线引导至正面出光，以提升正面的出光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管阵列，其特征在于，包括：一基板；多个发光二极管单元，位于该基板上且彼此电性隔离，每一发光二极管单元包括：一n侧氮化物半导体层；一p侧氮化物半导体层；与一主动层，位于该n侧氮化物半导体层与该p侧氮化物半导体层之间；至少一导光结构，位于相邻二该发光二极管单元之间的一间隔；及多条互联机，电性连接该些发光二极管单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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