[发明专利]读相变存储器有效
| 申请号： | 201210204114.9 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102708920A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | W·D·帕金森;G·卡萨格兰德;C·瑞斯塔;R·盖斯塔尔迪;F·贝德司奇 | 申请（专利权）人： | 奥沃尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 罗婷婷 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可使用足够高来达到相变存储器元件阈值的读电流来在没有达到该存储器元件阈值的情况下读该元件。在某些情况中，较高的电流可改进性能。该存储器元件没有达到阈值是因为，在触发该存储器元件之前读该元件并停止电流。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在由大于相变存储器元件的阈值电流的读电流驱动的地址线上，读未达到阈值的相变存储器元件。
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