[发明专利]一种用于形成接触孔的方法有效
| 申请号： | 201210209344.4 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103515293A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成接触孔的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区且所述衬底上形成有栅极结构；在所述有源区上形成金属硅化物；在所述衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和第一层间介电层；在所述第一层间介电层中形成共享接触孔，所述共享接触孔包括位于所述栅极结构之上的部分和位于所述有源区之上的部分；以及在所述共享接触孔底部形成金属硅化物。根据本发明的方法能够克服如上所述在现有的高k金属栅工艺中，由于对接触孔蚀刻停止层过蚀刻的同时在金属栅的侧墙上也发生过蚀刻而导致栅极漏电严重的问题，并且因此能够抑制栅极漏电并实现稳定的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成接触孔的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区且所述衬底上形成有栅极结构；在所述有源区上形成金属硅化物；在所述衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和第一层间介电层；在所述第一层间介电层中形成共享接触孔，所述共享接触孔包括位于所述栅极结构之上的部分和位于所述有源区之上的部分；以及在所述共享接触孔底部形成金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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